DRAM的核心原理在于利用电容存储电荷来表示数据位。每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，通过控制电容器的充电状态来实现“0”或“1”的数据存储。由于电容器会随着时间逐渐放电，因此必须定期进行刷新操作以确保数据不会丢失。
在现代计算机系统中，DRAM通常作为主内存使用，为CPU提供快速的数据访问通道。随着技术的进步，DRAM经历了多次迭代升级，从早期的EDO DRAM、SDRAM到如今的DDR（Double Data Rate）系列，性能不断提升，功耗不断降低。未来，随着3D堆叠技术和新材料的应用，DRAM将继续朝着更高密度、更低延迟的方向发展，为各种智能设备提供更加高效的存储解决方案。
